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장비 현황



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장비 현황



중앙분석지원실

소재·부품·장비 분야 고도화된 시험분석지원을 통해 도내 중소기업 개발 난제 해결 지원

보유장비

Nuclear magnetic resonance spectrometer (핵자기공명분광기)

모델명(제작사) AVANCE III HD 600 MHz NMR Spectrometer (Bruker)
설치장소 중앙분석지원실 I (CB109)
원리 자기장 조건하에서 시료의 원자핵이 특정 주파수의 전자기파와 공명을 일으키는 현상을 활용하여 시료의 분자 구조를 분석
기기활용 복잡한 화합물들을 단시간에 쉽게 분석가능하며 다양한 유기재료 분석에 활용가능
사양
  • Frequency resolution : < 0.005Hz
  • Phase resolution : < 0.006°
  • Attenuation resolution / attenuation range : < 0.1dB / 90dB
  • Amplitude modulation : > 90dB
  • Event time for digital setting of frequency, phase and amplitude, either individually or simultaneously : 25ns
  • Memory per channel e.g. for pulse shaping : > 8 Mbyte
  • Phase monotony over 90dB amplitude setting range : < + / -0.5°
담당자

031-888-9814, lanjoo@snu.ac.kr

Focused Ion Beam Scanning Electron Microscope (이온빔 주사전자현미경)

모델명(제작사) Helios 5 UC (FEI)
설치장소 중앙분석지원실 Ⅱ (CB104)
원리
  • 전자빔을 활용하여 미세 구조물 시료의 표면을 관찰하는 고분해능 현미경으로 표면 형태, 구조 등 관찰
  • 높은 가속전압을 가해 이온을 발생시키고 표면의 선택적 영역에 주사하여 시료를 가공
기기활용
  • 높은 Ion beam 밀도로 빠른 속도의 FIB 시료 가공 가능
  • 저 가속 전압 샘플 가공이 용이하여 고품질의 TEM 샘플 제작 가능
  • EDX detector 추가를 통하여 표면 원소성분 분포, 정성 및 정량 분석 가능
  • 반도체, 디스플레이의 미세 구조, 패터닝 등의 분석에 활용 가능
사양

1) FIB/FE-SEM

  • Resolution
  • High resolution : 0.6nm at 30kV (STEM), 0.6nm at 15kV, 1.7nm at 1kV
  • Coincident Point (WD 5mm) : 1.2nm at 1kV
  • Acceleration voltage range : 0.02 ~ 30kV
  • Probe current : 5pA to 20nA
  • Magnification range : 12✕~2,000,000
  • Electron Source : Schottky field emitter
  • Focus Working Distance : 1~40mm
  • Beam Shift (at 20kV, WD=8.5mm) : 100㎛(±50㎛)

2) FIB column

  • Ion Source : Gallium Liquid Ion Metal source
  • FIB resolution : 2.5nm at 30kV
  • Probe Current : 1pA to 100nA
  • Magnification : 300✕~500,000
  • Acceleration Voltage : 0.5 ~ 30kV

3) Detector

  • TLD : Efficient detection of SEs, Low take off angle BSEs
  • MD : Medium take-off angle BSEs – better materials contrast
  • ICD : High take-off angle, Low-loss BSEs - pure materials contrast

4) Software

  • AutoTEM 5, AutoTEM 5 Automation Science, Enhanced Stage Rotation Accuracy, AutoSlice and View 4, AutoSlice and View Analytical Package, Maps 3 for SEM

5) EDS

  • EDS-Quantax 400 XFlash 6-30mm2 – 129eV – Quantax 400 Q655-30-129
담당자

031-888-9591, sonkunwoo@snu.ac.kr

High-performance X-ray photoelectron spectroscopy (고성능 X-선 광전자 분광분석기)

모델명(제작사) AXIS Supra+ (Kratos, U.K.)
설치장소 중앙분석지원실 Ⅱ(C동 B109 호)
원리 X-선을 시료 표면에 조사하여 광전효과에 의해 방출된 내각전자의 운동에너지를 측정하여, 원소의 조성 및 화학 결합 상태에 대한 정보를 분석
기기활용

고분자, 유기물, 반도체 등 다양한 물질의 표면 및 계면 분석, 정량 분석, 전자구조 분석

1) XPS : 1,000~1,500 eV의 X-선을 이용하여, 코어레벨의 전자를 분석해 내각전자의 결합에너지, 화학결합상태, 상대 정량 분석

2) UPS : 10~20 eV의 자외선을 이용하여 밸런스 레벨의 전자를 분석해 최외각 전자에너지, 밴드갭 에너지, 일함수 분석

3) ARXPS : 각도 변환에 따른 광전자 분석을 통해 비파괴 수직적 화학 조성 및 분포 분석

4) Temperature dependence : +800℃~-100℃(액체질소) 범위에서의 XPS 분석

5) Depth profile : 이온건을 이용한 시료 에칭을 통해 깊이 분포에 따른 XPS 스펙트럼 측정

사양

1) Electron analyzer with lens system

  • Type : spherical sector analyzer
  • Minimum analysis area : 15 μm, 6,000 cps @ 0.6 eV FWHM
  • Kinetic energy range : 0~1486 eV (Al), 0~2984 eV (Ag)
  • Ultimate energy resolution of Ag 3d5/2 peak: ≤0.48 eV FWHM
  • Detector : 128-channel DLD(Delay-Line Detector) with MCP(Micro-Channel Plate)
  • Maximum sensitivity at 0.6 eV FWHM on Ag3d5: 2,500,000 cps

2) Micro-focused monochromated X-ray source

  • Anode material : Al (Ag option)
  • Rowland circle : 500 mm
  • Automatic control : full data system control and adjustment
  • Source : Al-Kα (1486.6 eV)
  • Energy Resolution : Ag 3d5/2

3) Ultra violet light source

  • Sensitivity : 1,000,000 cps for Ag 4d
  • HeⅠ(21.2 eV) or He Ⅱ(40.8 eV)
  • Energy resolution : 110 meV
  • Minimum step size is 1 meV

4) Sputtering ion gun control

  • Type : mono Ar and Ar cluster ion source
  • Ultimate vacuum : 5 × 10-7 Torr
  • Beam Energy : 500 eV ~ 4 keV

5) High precision manipulator (5-axis manipulator)

  • Maximum specimen dimensions : 60 mm dia
  • Mounting plates: multi-specimen:2, powder: 1
  • Sample tilt : +, - 45 degree

6) Vacuum transfer holder

  • Sample holder allowing samples to be transferred under vacuum into the system
  • Maximum specimen thickness : 9 mm
  • Three transfer holders
비고
  • 예약 전날 오후 2시까지 샘플 전달(샘플 전달 늦을 시 분석 하루 지연)
  • Normal/UPS/ARXPS → 시료 1개(1point) 원소 5개당 1시간 소요
  • Temperature dependence/Depth profile → 분석 소요시간 담당자 문의
담당자

031-888-9581, whxodnd5@snu.ac.kr

Fourier transform infrared spectroscopy (푸리에변환 적외선 분광분석기)

모델명(제작사) LUMOS II (Bruker)
설치장소 중앙분석지원실 III (B동 5층)
원리 적외선에 대한 투과율 및 반사율 측정을 통해 재료의 기능기를 확인하고, 이를 통해 유기 및 무기 화합물의 구조 분석
기기활용
  • 고유 에너지 준위로 인한 흡수 스펙트럼을 통해 물질의 정성분석이 가능하여 wafer, 박막, 소재 분석 등에 활용
사양
  • Wavenumber range(cm-1) : 6,000~670
  • Detector : TE-MCT
  • Spectral resolution (cm-1) : 2(option 0.8)
  • Signal-to-noise (4cm-1, resolution) : >1,800:1
  • Spatial resolution : 1.25㎛
  • Mapping : < 5 spectra/sec (@4cm-1)
  • Imaging : > 550 spectra/sec (@4cm-1)
  • Wavenumber accuracy (cm-1) : ≤0.05 (@1,576cm-1)
  • Beam splitter : ZnSe (optional KBr)
  • Imaging pixel size : 5㎛ (TR/Refl), 1.25㎛ (ATR)
  • Objective : 8x
  • Numerical aperture (15x) : 0.6
  • Positioning accuracy (at measurement point) : ±0.1㎛
  • Repeatability : < 0.1㎛
  • Software : 라이브러리(27만개), 다성분분석 가능, 정량분석 가능
담당자

031-888-9814, lanjoo@snu.ac.kr

Differential Scanning Calorimetry (시차주사열량분석기)

모델명(제작사) DSC 250 (TA Instruments)
설치장소 중앙분석지원실 III (B동 5층)
원리 온도의 변화에 따른 재료의 물리/화학적 특성변화를 관찰하는 열분석기기로 용융/결정화 엔탈피, 유리전이온도, 열적 안정성, 비열 등 분석
기기활용 다양한 산업에서 활용되는 소재에 대한 열적 특성분석 활용 가능
사양
  • Sensor type : Heat flux plate
  • Temperature Range : -90 ~ 725℃
  • Heating rate : 0.01 ~ 100℃/min
  • Cooling rate : 0.01 ~ 30℃/min
  • Enthalpy precision : ±0.08%
  • Temperature accuracy : ±0.05℃
  • Temperature precision : ±0.008℃
  • Calorimetric dynamic range : ±200mW
  • Automatic gas changer & Mass flow controller : Standard (내장형)
  • Auto-sampler : 54 sampler
  • Software : TA universal Software
담당자

031-888-9814, lanjoo@snu.ac.kr

Thermogravimetric Analyzer (열중량분석기)

모델명(제작사) TGA 8000 (Perkin Elmer)
설치장소 중앙분석지원실 III (B동 5층)
원리 온도의 변화에 따른 재료의 물리/화학적 특성변화를 관찰하는 열분석기기로 재료의 열/산화 안정성, 분해속도, 수분함유량 등의 분석
기기활용 다양한 산업에서 활용되는 소재에 대한 열적 특성분석 활용 가능
사양
  • Balance sensitivity : 0.1μg
  • Capacity : 1300mg
  • Balance accuracy : Better than 0.02%
  • Balance precision : 0.001%
  • Temperature range : -20℃ to 1200℃
  • Temperature precision : ±1℃
  • Scan rates : 0.1℃/min to 500℃/min
  • Cooling method : Forced air cooled with an external fan
  • Cooling Cycle time : 1100℃ to 50℃ < 13min
  • Vacuum : 10-5 Torr
  • Software : AutoStepwise TGA, Variable rate TGA, TGA Desomposition Kinetics
담당자

031-888-9814, lanjoo@snu.ac.kr

Thermal Conductivity Instrument (열전도율 측정기)

모델명(제작사) Trident (C-Therm)
설치장소 중앙분석지원실 III (B동 5층)
원리 소재 및 물질의 열전도율, 열확산율을 정밀하게 측정하는 분석기기로 열전도율-열확산율을 동시에 측정가능하며, 단위체적당 열용량 등 분석
기기활용 다양한 산업에서 활용되는 소재 및 제품에 대한 방열 및 열적 특성분석 활용 가능
사양

1) MTPS

  • Thermal conductivity range : 0 to 500W/mK
  • Thermal effusivity range : 5 to 40,000Ws½/m²K
  • Temperature range : 50℃ to 200℃ (With option to extend to 500℃)
  • Precision : better than 1%
  • Accuracy : better than 5%
  • Test time : 0.8 to 3 seconds
  • Sensor size : 18mm diameter

2) Flex TPS

  • Thermal conductivity range : 0.03 to 500W/mK
  • Temperature range : 50℃ to 300℃
  • Precision : better than 2%
  • Accuracy : better than 5%
  • Test time : 10 to 180 seconds
  • Sensor size : 6mm, 13mm and 30mm diameter sensors available
담당자

031-888-9814, lanjoo@snu.ac.kr



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